为什么使用晶闸管开关进行投切的电容器回路要用快速熔断器进行保护？

      晶闸管开关在无功补偿中应用的越来越多，故障率仍然是高居不下，有一部分原因，是因为过压造成的损毁，而另一部分，是过流，而过流保护，是完全可以通过保护器件的正确选择来避免的。

      电力半导体开关器件对温度的变化较为敏感，过电流会使半导体芯片过热而造成品质下降，寿命降低甚至永久性损坏。虽然模块在 10ms内可以承受额定电流10倍以上的非重复的浪涌电流，但很多时候过电流的时间都大于此值，很容易造成成永久性损坏。因而，过电流的保护是很重要的，过电流的保护方法很多，像在交流进线串接漏抗大的整流变压器、接电流检测和过流继电器和装直流快速开关等措施，但关键在于反映速度要快。对于小于模块浪涌电流值的过电流，常用的电子过流保护电路可以立即切断可控硅的触发脉冲，使可控硅在电流过零时换向时关断，但对于在10/8.3ms（50/60HZ）以内超过SCR的浪涌电流承受值的浪涌电流和短路电流，一般的保护电路是无效的，应考虑采用半导体器件专用的快速熔断器。熔断器的标称熔断电流不应超过模块标称电流值的1.57倍。即小于模块的通态电流的有效值。市售的快熔种类较多，质量差异较大，选择时应慎重。

      与普通熔断器比较，半导体专用快速熔断器是专门用来保护电力半导体功率器件过流的元件，它具有快速熔断的特性，在流过6倍额定电流时其熔断时间小于工频的一个周期（20ms）。

      快速熔断器可接在交流侧直流侧或与晶闸管桥臂串联，后者直接效果最好。一般说来快速熔断器额定电流值（有效值）应小于被保护晶闸管的额定方均根通态电流（即有效值）ITRMS 即 1.57ITAV ,同时要大于流过晶闸管的实际通态方均根电流(即有效值)IRMS 。即 1.57ITAV ≥ IRD ≥ IRMS